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一种光学近距修正的方法,包括下列步骤:提供至少一个待曝光电路图形;形成至少一个垂直于待曝光电路图形的待曝光辅助图形,所述待曝光辅助图形尺寸小于光刻机分辨率;将待曝光电路图形及待曝光辅助图形转移至光掩膜上,形成电路图形和辅助图形。经过上述步骤...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。
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一种光学近距修正的方法,包括下列步骤:提供至少一个待曝光电路图形;形成至少一个垂直于待曝光电路图形的待曝光辅助图形,所述待曝光辅助图形尺寸小于光刻机分辨率;将待曝光电路图形及待曝光辅助图形转移至光掩膜上,形成电路图形和辅助图形。经过上述步骤...