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本发明提供一种锗硅异质结双极晶体管（ＨＢＴ）雪崩外延层有效厚度计算方法及雪崩电流模型，可根据锗硅ＨＢＴ的各端点偏压条件和所处环境温度计算该晶体管的雪崩电流。模型参数包括雪崩电流的曲率决定电压ＶＡＶＬ，晶体管雪崩常数Ａｎ和Ｂｎ，集电极－基极结...
该专利属于上海集成电路研发中心有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海集成电路研发中心有限公司授权不得商用。

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