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本发明公开了一种硅基六结太阳电池及其制作方法，硅基六结太阳电池包括：硅衬底；依次层叠设置于所述硅衬底上表面的Si子电池、第三隧穿结、GaInNAsP子电池、第四隧穿结、GaNAsP子电池、第五隧穿结和AlGaNP子电池；以及依次层叠设置于所...
该专利属于中山德华芯片技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中山德华芯片技术有限公司授权不得商用。

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