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本发明提供了一种气体传感器的制备方法和气体传感器，所述方法包括：提供一表面具有GaN缓冲层的Si衬底；在所述GaN缓冲层上形成外延叠层，所述外延叠层从下向上依次为GaN沟道层、AlN插入层、AlGaN势垒层、以及GaN帽层；刻蚀所述外延叠层...
该专利属于光华临港工程应用技术研发（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过光华临港工程应用技术研发（上海）有限公司授权不得商用。

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