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本发明公开了一种碳化硅二极管的制备方法，包括如下步骤：在SiC衬底上外延SiC，形成SiC外延层；热氧化所述SiC外延层表面，形成SiO2层；在所述SiO2层上沉积掩膜层；刻蚀有源区掩膜层，暴露有源区离子注入区域；部分刻蚀JTE区掩膜层，暴...
该专利属于珠海格力电器股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过珠海格力电器股份有限公司授权不得商用。

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