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本发明提供了一种钝化接触晶体硅电池制备方法，其中方法包括：采用激光对太阳电池划片并裂片，得到多个电池切片；对每一个电池切片，在其切割边缘上涂覆钝化浆料；以及对已涂覆钝化浆料的电池切片进行氢钝化，其中所述钝化浆料能够在所述氢钝化的过程中被烧结...
该专利属于天合光能股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过天合光能股份有限公司授权不得商用。

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