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本发明提供一种生长AlN薄膜的方法，包括步骤：在衬底的其中一个表面进行表面改性处理；将做改性处理的所述表面生长低温AlN缓冲层；在所述AlN缓冲层上生长低温，高V/III，高压条件下AlN层；在所述低温AlN层上生长高温，低V/III，低压...
该专利属于至芯半导体（杭州）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过至芯半导体（杭州）有限公司授权不得商用。

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