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本发明涉及在[111]取向硅衬底上外延附生GaSe的方法，其包括：
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该专利属于国立科学研究中心格勒诺布尔阿尔卑斯大学所有，仅供学习研究参考，未经过国立科学研究中心格勒诺布尔阿尔卑斯大学授权不得商用。

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