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本发明属于电化学传感器领域，公开了一种传感器集成芯片及其制备，该电化学传感器集成芯片，包括位于晶圆级半导体基底上的参考电极和对电极，在参考电极和对电极上各设置有绝缘层，外延硅层则外延沉积在绝缘层上；该外延硅层的一端位于参考电极的上方，另一端...
该专利属于华中科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过华中科技大学授权不得商用。

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