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增强模式的化合物半导体场效应晶体管(FET)包括源极、漏极和位于它们之间的栅极。该晶体管还包括位于栅极下方的氮化镓基第一异质界面和位于所述第一异质界面下方的掩埋区，该掩埋的p型区域被配置为确定增强模式FET的导通阈值电压，以允许电流在所述源...
该专利属于美国亚德诺半导体公司所有，仅供学习研究参考，未经过美国亚德诺半导体公司授权不得商用。

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