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公开了一种用于3D X点存储器的具有减小的编程电流和热串扰的衬垫电极单元结构和制造方法。在所提出的单元结构和工艺流程中，通过自对准图案化和蚀刻在字线和位线的交叉点处产生相变存储器(PCM)单元。PCM单元包括与自对准PCM单元电接触的衬垫电...
该专利属于长江先进存储产业创新中心有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江先进存储产业创新中心有限责任公司授权不得商用。

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