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本发明涉及一种具有完全金属硅化层栅极的器件及其制造方法，属于半导体技术领域。该器件具有两个多晶硅区域，其中一个为多晶硅栅极，另一个多晶硅区域为虚拟多晶硅区域(Dummy)，器件顶部的硅化物与非硅化物的边界形成于该新增的虚拟多晶硅区域(Dum...
该专利属于时磊所有，仅供学习研究参考，未经过时磊授权不得商用。

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