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本发明涉及电荷存储材料技术领域,具体涉及一种电荷存储聚合物基复合材料的制备方法,通过半导体材料带隙调控提高了电荷存储聚合物材料的电荷储存能力。所述方法包括以下步骤:步骤一、将电荷存储聚合物溶解后配制成对应的聚合物溶液,按照半导体材料的添加量...该专利属于中国科学院深圳先进技术研究院所有,仅供学习研究参考,未经过中国科学院深圳先进技术研究院授权不得商用。
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本发明涉及电荷存储材料技术领域,具体涉及一种电荷存储聚合物基复合材料的制备方法,通过半导体材料带隙调控提高了电荷存储聚合物材料的电荷储存能力。所述方法包括以下步骤:步骤一、将电荷存储聚合物溶解后配制成对应的聚合物溶液,按照半导体材料的添加量...