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本发明属于涂层制备领域，具体涉及到一种在单晶硅或多晶硅上制备碳化硅复合涂层的化学气相沉积方法。采用金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)系统，选择液体原料六甲基二硅烷(HMDS)或六甲基二硅氧烷(HMDSO)、H2和Ar气体体系，工作压强...
该专利属于中国科学院金属研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院金属研究所授权不得商用。

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