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半导体器件的制造方法、衬底处理装置及程序制造方法及图纸
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文档序号:28051231
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具有通过将非同时地进行下述(a)和(b)的循环进行规定次数,从而在衬底上形成膜的工序:(a)从第1供给部向处理室内的衬底供给原料、并从设置在隔着衬底而与第1供给部相对的位置的排气口排气的工序;和(b)从第2供给部向处理室内的衬底供给反应体并...
该专利属于株式会社国际电气所有,仅供学习研究参考,未经过株式会社国际电气授权不得商用。
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