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本发明提供了一种沟槽栅型IGBT结构，所述IGBT结构包括：N型参杂发射区(11)、所述P型掺杂深结区(10)、多晶硅假栅极结构(7)；所述多晶硅假栅极结构(7)与所述N型参杂发射区(11)相连，且所述多晶硅假栅极结构(7)的底部插入所述P...该专利属于国网山西省电力公司电力科学研究院国家电网有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过国网山西省电力公司电力科学研究院国家电网有限公司授权不得商用。