温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开一种晶体管，其包括材料上的沟道区域。所述沟道区域包括二维材料，其包括对置侧壁且定向为垂直于所述材料。栅极电介质位于所述二维材料上且栅极位于所述栅极电介质上。本发明公开包含至少一个晶体管的半导体装置及系统，以及形成半导体装置的方法。...
该专利属于美光科技公司所有，仅供学习研究参考，未经过美光科技公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。