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硅试样的碳浓度评价方法、硅晶片制造工序的评价方法、硅晶片的制造方法和硅单晶锭的制造方法技术
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文档序号:28048875
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本发明提供一种硅试样的碳浓度评价方法,其包括:向评价对象硅试样导入氢原子;通过评价硅的带隙中的陷阱能级的评价法,对导入了上述氢原子的评价对象硅试样进行评价;以及基于在由上述评价得到的评价结果中与选自由Ec‑0.10eV、Ec‑0.13eV和...
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