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本申请总体来说涉及激光技术领域，具体而言，涉及一种量子阱结构、芯片加工方法、芯片及激光器，其中量子阱结构包括，量子阱结构包括InAlAs量子阱层和InAlGaAs量子阱层，所述InAlAs量子阱层设置多层，所述InAlGaAs量子阱层的厚度...
该专利属于芯思杰技术(深圳)股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过芯思杰技术(深圳)股份有限公司授权不得商用。

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