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本发明公开了一种激光器芯片及制备方法，所述制备方法包括：提供基底；于所述基底的表面形成有源层；于所述基底上形成包括由下至上依次叠置的第一半绝缘层、第二半绝缘层及第三半绝缘层的叠层结构；于所述有源层上形成外延结构；其中，所述叠层结构位于所述有...
该专利属于陕西源杰半导体科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过陕西源杰半导体科技股份有限公司授权不得商用。

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