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本发明公开了一种高性能DFB激光外延片制备方法，其包括如下步骤：首先在InP衬底上由下至上依次沉积生长缓冲层、限制层、下波导层、量子阱层、上波导层、上限制层、缓冲层、腐蚀阻挡层、InP包层、光栅层和InP帽层，然后匀胶曝光显影后，分两次用蚀...
该专利属于全磊光电股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过全磊光电股份有限公司授权不得商用。

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