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本发明实施例提供一种基于TFT工艺的可调谐超材料器件及其制作方法，包括：TFT单元；多个导电层，形成在所述TFT单元上并且通过通孔与所述TFT单元的源/漏极电联接；以及超材料单元，至少部分地形成在所述多个导电层中的一个或多个中并通过所述通孔...
该专利属于北京航空航天大学青岛研究院所有，仅供学习研究参考，未经过北京航空航天大学青岛研究院授权不得商用。

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