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本发明属于铁电存储器领域，特别涉及一种钇掺杂氧化铪基铁电薄膜材料及其制备方法与应用。本发明通过对氧化铪薄膜进行氧化钇掺杂，使得该多晶薄膜在特定掺杂浓度中的铁电正交相的相纯度较高，阻碍铁电畴翻转的杂相含量较低；并使用了MIM结构，使得在后期进...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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