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一种相变存储器单元及其制备方法，其从下到上依次包括位于衬底上的底电极、相变单元、加热电极和顶电极；其中，相变单元为纵向连接设置于底电极上的柱体，其由内而外依次设置有柱形相变材料层、环形散热层和环形选择器件层；顶电极与加热电极和相变材料层依次...该专利属于上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司;上海集成电路研发中心有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司;上海集成电路研发中心有限公司授权不得商用。