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本发明公开了一种平面栅超结MOSFET，包括：包括多个形成在超结结构的顶部且呈并联结构的器件单元；器件单元包括：沟道区，由栅介质层和栅极导电材料层叠加而成的平面栅，形成于沟道区表面的源区；平面栅超结MOSFET的导通电阻包括串联的沟道电阻以...
该专利属于南通尚阳通集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过南通尚阳通集成电路有限公司授权不得商用。

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