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本发明涉及具有偶极子层的增强型AlGaN/GaN垂直型超结HEMT及其制备方法，该器件中通过在AlGaN势垒层上设置无意掺杂的AlGaN形成偶极子层，且该偶极子层位于栅电极和漏电极之间的钝化层中，偶极子层沿着与AlGaN势垒层的界面形成负电...
该专利属于华南师范大学所有，仅供学习研究参考，未经过华南师范大学授权不得商用。

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