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III族氮化物基板制造技术
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文档序号:28043409
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本发明提供一种在实现高载流子浓度的同时、位错低且电阻低的III族氮化物基板。III族氮化物基板在经过研磨的面内,具有显示第1杂质浓度的第1区域和显示低于第1杂质浓度的第2杂质浓度的第2区域,第1区域的第1位错密度低于第2区域的第2位错密度。...
该专利属于松下电器产业株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过松下电器产业株式会社授权不得商用。
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