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本发明提供一种超级结制作方法及超级结，该方法包括：提供一半导体衬底，半导体衬底表面形成有具有第一导电类型掺杂的第一外延层，在第一外延层上形成具有刻蚀窗口的掩膜层，通过掩膜层在第一外延层内形成垂直的浅沟槽，然后利用浅沟槽的自对准，在浅沟槽底部...该专利属于安徽赛腾微电子有限公司;上海赛鹰微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过安徽赛腾微电子有限公司;上海赛鹰微电子有限公司授权不得商用。