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本发明公开了一种多层堆叠的环栅场效应晶体管沟道温度预测的方法，包括：步骤一：获取多层堆叠的环栅场效应晶体管的结构参数和热学参数；步骤二：基于有限元仿真工具，搭建第一类去嵌入结构；步骤三：提取各层沟道的结构热阻；步骤四：基于有限元仿真工具，搭...
该专利属于华东师范大学所有，仅供学习研究参考，未经过华东师范大学授权不得商用。

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