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本发明涉及磁相变材料技术领域，尤其涉及一种基于一级磁相变材料的电阻效应模拟人工突触的方法，通过对一级磁相变材料进行温度调控或电场调控，调节其输运性能和磁电阻效应，模拟人工突触的信息传递功能；电场调控包括离子液体电压调控和铁电衬底的电场调控。...
该专利属于杭州电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过杭州电子科技大学授权不得商用。

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