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本发明涉及一种高内量子率的外延材料生长方法，包括如下步骤：在衬底层上生长AlN层，衬底层为金刚石衬底；在AlN层上生长n型AlGaN层；采用脉冲氢气高低压蚀刻的方法在产品表面经多次蚀刻形成不规则凹坑；依次生长若干组交错堆叠生长的AlGaN阱...
该专利属于木昇半导体科技(苏州)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过木昇半导体科技(苏州)有限公司授权不得商用。

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