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本发明涉及一种垂直结构的微米线阵列真空紫外光探测器及其制备方法，其包括表面设置有多个平行排列凹槽的p型硅基底，凹槽的截面呈倒梯形，n型AlN微米线阵列沿其凹槽的侧壁外延生长形成，石墨烯导电层设置于该硅基底上与AlN微米线阵列接触，金属电极层...
该专利属于华南师范大学所有，仅供学习研究参考，未经过华南师范大学授权不得商用。

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