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本发明公开了一种砷化镓多结太阳能电池芯片及其制备方法，包括衬底、电池功能层、减反射层、欧姆接触层以及正面电极，衬底、电池功能层、减反射层依次叠层设置，减反射层上设置有裸露口，衬底的背部设置有背面电极，欧姆接触层设置在电池功能层上并且位于裸露...
该专利属于中山德华芯片技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中山德华芯片技术有限公司授权不得商用。

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