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本发明公开了一种横向导通型GaN混合pn肖特基功率二极管及其制备方法，所述二极管包括自下往上依次设置的衬底层、应力缓冲层、GaN外延层和p‑GaN掩埋层，其中，GaN外延层上表面未被p‑GaN掩埋层覆盖的部分设置有GaN沟道层，并且GaN沟...
该专利属于宁波铼微半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过宁波铼微半导体有限公司授权不得商用。

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