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本发明公开了一种基于横向肖特基源隧穿结的全垂直场效应晶体管及方法，包括：衬底层(1)、n+缓冲层(2)、n‑漂移层(3)、栅介质层(4)、漏极(5)、栅极(6)、两个源极(7)、两个金属加厚层(8)。本发明中的器件本身为增强型，提高了器件对...
该专利属于西安电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学授权不得商用。

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