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本公开提供一种碳化硅器件的元胞结构、其制备方法及碳化硅器件，所述元胞结构包括：多个间隔设置于所述漂移层表面内的第二导电类型阱区；位于所述阱区表面内的源区；位于相邻两个所述阱区之间的栅极沟槽；位于所述漂移层内且纵向间隔设置于所述栅极沟槽下方的...
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