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本发明涉及一种增强型与耗尽型HEMT集成器件及制备方法，通过在P型氮化物栅极层上沉积不同应力的介质，对P型氮化物栅极层下方的势垒层应力进行调控，改变其极化电场强度，最终实现P型氮化物栅增强型和耗尽型HEMT器件的单片集成。在制备耗尽型半导体...
该专利属于厦门市三安集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过厦门市三安集成电路有限公司授权不得商用。

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