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本发明提供一种沟槽式电容器件的制备方法，通过位于第一金属互连层上的沟槽电容区，包括若干第一沟槽以及位于所述第一介质层上且填充所述第一沟槽的电容结构,所述第一沟槽贯穿第一介质层且终止于第一金属互连层；贯穿所述第一介质层且终止于第二金属互连层的...
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