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本发明公开了一种提高ETFE抗内带电特性的方法及得到的复合电介质，属于ETFE改性领域。本发明的提高ETFE抗内带电特性的方法，以SiC纳米粒子作为填料，采用熔融共混法将之混入基料ETFE中，每100份ETFE中添加0.5‑5份的SiC纳米...
该专利属于西安交通大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安交通大学授权不得商用。

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