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一种分段线性补偿的CMOS带隙基准电压源制造技术
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文档序号:2794114
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本发明公开了一种分段线性补偿的CMOS带隙基准电压源,其特征在于,包括I↓[PTAT]电流产生部分、I↓[CTAT]电流产生部分、低温段补偿电流I↓[CL]产生部分和高温段补偿电流I↓[CH]产生部分。该电源在传统一阶曲率补偿的基础上,将整...
该专利属于电子科技大学所有,仅供学习研究参考,未经过电子科技大学授权不得商用。
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