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一种半导体器件中互连层和接触孔层的形成方法，包括提供一含有互连线层结构的衬底，在衬底上形成介质层；对介质层进行标准光刻刻蚀工艺，形成图形化后的通孔层；采用选择性钨沉积工艺对通孔层进行钨沉积，在通孔层中形成通孔钨塞；对通孔层表面进行压应力工艺...
该专利属于上海集成电路研发中心有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海集成电路研发中心有限公司授权不得商用。

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