温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。
本发明提供的一种绝缘体上硅结构的方法包括以下步骤：提供一键合结构，键合结构包括第一衬底、第二衬底和绝缘埋层，绝缘埋层位于第一衬底和第二衬底之间；从键合结构上剥离去除部分厚度的第一衬底，以得到第一薄膜；在第一温度下第一次刻蚀第一薄膜，以去除第...该专利属于上海新昇半导体科技有限公司;中国科学院上海微系统与信息技术研究所所有，仅供学习研究参考，未经过上海新昇半导体科技有限公司;中国科学院上海微系统与信息技术研究所授权不得商用。