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本发明公开了一种提高N型单晶硅片硼扩散的方法，包括：硅片预处理，将N型单晶硅片依次经NaOH溶液抛光、RCA溶液清洗、HF溶液清洗，为后续处理做准备；亲水性金属氧化物沉积，在清洗完后的N型单晶硅片上沉积10～30nm厚的亲水性金属氧化物；液...
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