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本发明涉及一种改进生长碳化硅单晶质量的装置及方法，其中，装置包括石墨盖、籽晶以及粘合在石墨盖和籽晶之间的多晶碳化硅片，该碳化硅片的横截面面积大于籽晶的横截面面积而小于石墨坩埚的底面积。本发明通过设置多晶碳化硅片，并使其横截面面积大于籽晶的横...
该专利属于芯璨半导体科技(山东)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过芯璨半导体科技(山东)有限公司授权不得商用。

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