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本发明提供通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法。所述方法可包括：通过等离子体增强原子层沉积(PEALD)工艺或循环等离子体增强化学气相沉积(循环PECVD)工艺形成拓扑选择性氧化硅膜。所述方法还可包括：选择性地在非平面衬...
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