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本发明公开了一种高二次电子发射系数薄膜及其制备方法，属于器件材料领域，包括如下步骤：1)首先将已获得需要电导率的衬底层放入原子层沉积设备中的反应腔室；2)先生长Al...
该专利属于中国科学院高能物理研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院高能物理研究所授权不得商用。

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