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一种带隙电压参考电路（１）包括一个带隙单元（７），该带隙单元中包括第一（Ｑ１，Ｑ２）与第二晶体管（Ｑ３，Ｑ４），它们分别被设置来产生一个校准ＰＴＡＴ电压（ＡＶｂｅ），该电压与第一及第二晶体管堆（８，９）的基极－射极电压差成正比，且被形成在一...
该专利属于阿纳洛格装置公司所有，仅供学习研究参考，未经过阿纳洛格装置公司授权不得商用。

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