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本实用新型提供一种集成保护芯片结构，其包括N型衬底、双向TVS结构、双向TSS结构、第一表面结构和第二表面结构，双向TVS结构设置在N型衬底上，用于线路保护，包括第一P型杂质和第二P型杂质，第一P型杂质和第二P型杂质分别设置在N型衬底两端，...
该专利属于深圳长晶微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳长晶微电子有限公司授权不得商用。

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