温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。
一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，用于形成第一型晶体管，基底上形成有一个或多个堆叠的沟道叠层；在基底上形成横跨沟道叠层的栅极结构；刻蚀栅极结构两侧的沟道叠层，形成凹槽；沿沟道层长度的方向，刻蚀凹槽侧部部分的牺牲层，形成沟槽...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。