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公开了一种沟槽型MOSFET以及一种制造沟槽型MOSFET方法。所述方法包括：在半导体基底中形成从上表面延伸至其内部的沟槽；在所述沟槽中形成第一绝缘层和屏蔽导体，所述第一绝缘层覆盖所述沟槽的侧壁和底部，且将所述屏蔽导体和所述半导体基底隔开；...
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